引言：在半导体赛道，90纳米工艺节点曾是国产芯片的技术分水岭。最新突破意味着我国初步掌握28纳米以下制程的关键基础。

一、技术突破点

• 三维集成技术：通过硅通孔（TSV）实现多层芯片堆叠，将90纳米工艺的性能提升30%，逼近28纳米水平。
• 超低功耗设计：采用新型鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，功耗降低40%，适用于物联网芯片领域。